高速开关.高耐压MOSFET | 新产品信息

采用了新开发的低导通电阻程序，现有导通电阻比传统品降低了大约50%
通过这个方法，大幅提高了开关速度(约30%)。大幅降低了开关损耗。
TO-220FM及LPTS的高功率封装产品线。大幅度降低了机器的散热量。

最适合使用在开关电源电路上对低导通电阻有所要求的PFC及对开关速度有所要求的开关(SW)。

封装	PD(W)	极性	品名	VDSS(V)	ID(A)	RDS(on) Typ.(Ω)VGS=10V	Qg[nC]VGS=-10V
TO-220FM	40	Nch	NEW R5007ANX	500	7	0.8	13
	50	Nch	NEW R5009ANX	500	9	0.55	21
			NEW R5013ANX	500	13	0.29	35
			NEW R6008ANX	600	8	0.6	21
			NEW R6015ANX	600	15	0.23	50
			NEW R6020ANX	600	20	0.17	65
LPT (D2PAK)	40	Nch	NEW R5007ANJ	500	7	0.8	13
	50	Nch	NEW R5009ANJ	500	9	0.55	21
	100	Nch	NEW R5016ANJ	500	16	0.21	50

*也汇集了其他大多数的产品线。

相关信息

灵活使用高速开关，高耐压MOSFET以外的独特技术，以达到按照客户的需求开发晶体管产品，
同时更进一步扩充产品系列。