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BD2270HFV是为了把易于实现低导通电阻的NMOSFET作为开关使用的一种驱动IC。除了以内置的电荷泵电路为基础的NMOSFET的GATE驱动电路之外，还把放电电路和控制电路中带有滞后现象的比较电路都内置于1块芯片内，与分立式的结构相比，可以更简单、更节省空间地实现电源线的控制。 |
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BD2270HFV的特长
- 用低电压去驱动NchMOSFET
- Power Vcc可以达到NchMOSFET的VDMax.
- 内置有软启动电路
- 备有使输出电荷放电的放电引脚(条件是VMax.≦6V)
- 与通电顺序控制相适应
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特长1:利用超小型封装HVSOF5实现节省空间的设计
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BD2270HFV采用1.6×1.6×0.6mm的HVSOF5封装。在大电流应用条件下，与分立式结构相比可以大大减少元器件数量，而安装面积可以减小到约35% 。因此，最适合应用于安装空间较小的小型便携式机器等装置。 |
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特长2:有软启动功能，可防止冲击电流
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AEN引脚处于高电平时，BD2270HFV的电荷泵便对NMOSFET的栅极充电。NMOSFET的接通时间决定于GATE电容。而且，通过将电容器接到GATE 引脚上就可以稳妥地设定NMOSFET的接通时间，就可以缓和冲击电流对大的容性负载的冲击。 |
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典型的特性
工作电压
(V) |
电流消耗
(µA) |
控制输入
逻辑 |
GATE 引脚输出
电流 |
输出上升时
(GATE引脚
VGATE>4V) |
放电电阻
(Ω) |
| 2.7 to 5.5 |
50 |
H Active
H>2.45V/L<1.35V |
13.5V
at Vcc＝5.0V |
130µsec |
200 |
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