2012年的新产品信息

2011年的新产品信息

2010年的新产品信息

2009年的新产品信息

产品信息

ECO Devices

有助于实现逆变器的高效率化和减小安装面积 高速trr / 耐高压MOSFET：PrestoMOS(TM)

概要 | 特长 | 装置/使用电路实例 | 产品线

高速trr / 耐高压 PrestoMOS(TM)

概要

最适合电源一体式逆变器等的高速trr型「PrestoMOSTM」！它的高速开关性能以及内部二极管的高速trr化有助于实现高效率与低损耗化，更加有助于电源电路板实现小型化。而且，对产品线预定新添表面贴装式封装的「CPT3(D-PAK)」、「LPT(D2-PAK)」。


<所谓PrestoMOSTM就是>

Presto: 意大利语，是用来表示“极快”的音乐术语。

 封装

特长

  • 进一步高效率化
    除了导通电阻低、Qg低之外，还实现了内部二极管的高速trr化。
  • 元件数量消减
    依靠内部二极管的高速trr特性，可以省去外接FRD(快速恢复二极管)。
 trr(逆恢复时间)波形比较 R6008FNX VS R6008ANX
单击一下，便可放大

解决变换损耗的办法(外接FRD) →　高速trr类型 PrestoMOS(TM)

装置/使用电路实例

装置/使用电路实例

  • 电源一体型逆变器/照明/马达
  • 太阳能电池, 净化电源
  • 高频条件下使用的电桥电路
  • 抗di/dt破坏能力令人担忧的电路
  • 正在研究如何通过高频化使电路板(包括变压器在内)实现小型化的产品 etc.
 装置

产品线

Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)VGS=10V		 trr[ns] Typ. Package
R6008FNJ 600 8 0.72 67 LPT
R5009FNX 500 9 0.65 78 TO-220FM
R5011FNX 11 0.4 85
R5016FNX 16 0.22 100
R6008FNX 600 8 0.73 67
R6012FNX 12 0.39 75
R6012FNJ 12 0.39 75 LPTS
R6015FNX 15 0.27 90 TO-220FM
R6020FNX 20 0.2 105
R6025FNZ 25 0.14 120 TO-3PF
R6025FNZ1 25 0.14 120 TO-247
R6046FNZ 46 0.075 145 TO-3PF
R6046FNZ1 46 0.075 143 TO-247

 

相关信息

■ 新闻

 • 
 高耐压MOSFET「F系列」

■ 新产品信息

 • 
 高速开关﹑耐高压MOSFET系列
 • 
 超低电压0.9V驱动 ECOMOSTM系列

■ MOSFET

■ 双极晶体管

■ 数字晶体管

  

■ 复合晶体管

  

♦ MOSFET

♦ 数字晶体管

♦ 内置二极管

♦ 双极晶体管

灵活使用高速trr / 耐高压MOSFET：PrestoMOSTM 以外的独特技术，以达到按照客户的需求开发晶体管产品，同时更进一步扩充产品系列。

关于这个产品的询问

最新新闻

2012.05.15

应用"软骨传导"技术的智能手机新创意

2012.05.08

罗姆开发出世界最小的"VML2"封装快速恢复二极管！

2012.05.03

清华大学与罗姆共同主办"2012清华-罗姆国际产学连携论坛"

2012.04.24

"罗姆半导体技术交流会"在长春顺利召开

2012.04.17

业界最小的反射型3色发光贴片LED开发成功

2012.04.10

业界首家！家电用微控制器和语音播放功能实现芯片一体化

2012.03.22

世界首家！"全SiC"功率模块开始量产"

2012.03.20

日本知名半导体制造商罗姆 亮相"第十一届慕尼黑上海电子展"

2012.03.01

罗姆推出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET，现已量产

2012.02.23

LAPIS Semiconductor推出以低功耗综合管理智能手机中的各种传感器群的超小型微控制器，4月投入量产