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实现了低导通电阻化和小型化的1.5驱动 MOSFET
ECOMOSTM是专门为便携式装置的电源电路使用而开发的功率MOSFET。这一开发项目大幅度减小MOSFET工作时的导通电阻以减少电源电路的消耗功率,从而实现了电池的长寿命化。而且,为了积极投入减少有害环境物质的活动,开发项目还设定了一个环保指标——无卤素。
对功率MOSFET的要求

最近对便携式装置的开发,其重点就是想办法将更多的功能纳入巴掌大小的空间,以使制造出来的机器能够轻便地搬运。为了实现这一目标,就必须先有“小型、轻量化”和“电池的长寿命化”,就要求开发出既小型又具备高性能的元器件。

彻底减小MOSFET的导通电阻

用于为各个电路块供电的电源馈线上起通、断开关作用的功率MOSFET,理想状态是导通时的消耗功率为0W,但实际上由于存在导通电阻而会产生损耗〈P (损耗)=RDS(on) (导通电阻) ×I2 (电流×电流)〉。从而,减小MOSFET的导通电阻对于减少整机的消耗功率是一个重要问题。

靠1.5V电源工作,低电压驱动
原来1.5V电源线上的通、断开关是利用电平移位电路来升压以驱动1.8V驱动、2.5V驱动的功率MOSFET,或者是使用三极管,所以消耗功率便有所增加。于是,就通过工艺的最佳化来实现栅−源间电压(VGS)1.5V驱动。从而,用1.5V电源线也可以直接驱动,这不但有利于减少消耗功率,还有助于减少元器件数量。而且,采用低电压驱动还可以同时减小其他驱动电压区域(VGS=1.8V/2.5V/4.5V时)的导通电阻,这对原有的1.8V驱动、2.5V驱动功率MOSFET也具有优越性(图1)。
図1 2.5V駆動品と1.5V駆動品とのVGS-RDS(on)特性比較
图1 2.5V驱动产品与1.5V驱动产品的VGS-RDS(on)特性比较
耐热的小型、大功率封装
最近,电池正朝着小型化和薄型化发展,相应地对功率MOSFET发生的热传到机壳外部的热设计就变得严格了。尤其是在使用电池充电的地方,因为需要数百mW 的功率,所以又新开发了小型的大功率封装(图2)


图2 最适用于便携式装置的全部封装
图2 最适用于便携式装置的全部封装
最适合便携式机器的电路方案

ECOMOSTM用在便携式机器的各种电路给机器设计者带来了这样那样的好处。例如,在锂离子二次电池的充电控制部分,适配器与锂离子二次电池两者间的切换开关使用封装有2个Pch元件的产品,充电控制部分防反向电流使用内置有肖脱基势垒二极管的产品,就可以使电路变得简单。

回路図

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ECOMOSTM 产品线
封装(mm) PD(W) 极性 产品型号 VDSS(V) ID(A) RDS(ON)Typ.(mΩ)
VGS=1.5V VGS=4.5V
VMT3
(1.2×1.2×0.5)
VMT3 0.15 Nch NewRUM003N02 20

0.3

1*1

0.7*2

EMT3
(1.6×1.6×0.7)
EMT3 3.0 to 3.6 Nch NewRUE003N02 20

0.3

1*1 0.7*2
EMT6
(1.6×1.6×0.5)
EMT6 3.0 to 3.6 Nch+Nch NewEM6K6 20

0.3

1*1 0.7*2
TUMT3
(2.0×2.1×0.77)
TUMT3 0.8 Nch NewRUF015N02 20

1.5

220*1 130
NewRUF025N02 20

2.5

80 39
Pch NewRZF030P01 -12 -3 72 28
TUMT6
(2.0×2.1×0.77)
TUMT6 1 Nch NewRUL035N02 20 3.5 66 31
Pch NewRZL035P01 -12 -3.5 66 26
Nch+Nch NewUS6K4 20 1.5 220*1 130
TSMT3
(2.9×2.8×0.85)
TSMT3 1 Nch NewRUR040N02 20 4 55 23
Pch NewRZR040P01 -12 -4 55 22
TSMT6
(2.9×2.8×0.85)
TSMT6 1.25 Nch NewRUQ050N02 20 5 40 22
Pch NewRZQ050P01 -12 -5 44 19
TSMT8
(3.0×2.8×0.8)
TSMT8 1.5. Pch NewRQ1A070ZP -12 -7 19 8
Pch+Pch NewQS8J1 -12 -4.5 49 21
TSST8
(3.0×1.9×0.8)
TSST8 1.25 Pch NewRT1A050ZP -12 -5 48 19
Pch+Pch NewTT8J1 -12 -2.5 110 44
Pch+SBD NewTT8U1 -20 -2.4 180 80
WEMT6
(1.6×1.6×0.6)
WEMT6 0.7 Nch+SBD NewES6U41 30 1.5 240*3 170
Pch+SBD NewES6U42 -20

-1

570*3 280
*1VGS=1.8V *2VGS=4V *3VGS=2.5V