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US5U3
外观
TUMT5
外形尺寸
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等价电路图
[ 产品概要 ]
电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管(SBD)形成了多种产品线来对应多样的市场需求。
特长
• 实现以2.0×2.1mm安装面积的高功率小空间的MOSFET
产品规格
| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) (Tr) |
| Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) |
30 |
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| Gate-Source voltage VGSS(V) |
12 |
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| Drain current(continuous) ID(A) |
±1.5 |
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| Source current(body Di) IS(A) |
0.6 |
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| Total power dissipation PD(W) |
1 |
Mounted on a ceramic board |
| Channel temperature Tch(°C) |
150 |
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| Storage temperature Tstg(°C) |
-55 ~ +150 |
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| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) (Di) |
| Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
| Repetitive peak reverse voltage VRM(V) |
25 |
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| Reverse voltage VR(V) |
20 |
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| Forward current IF(A) |
0.7 |
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| Forward current surge peak IFSM(A) |
3 |
60Hz/1cycle |
| Total power dissipation PD(W) |
1 |
Mounted on a ceramic board |
| Junction temperature Tj(°C) |
150 |
|
| Storage temperature Tstg(°C) |
-55 ~ +150 |
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*所述内容会因改良等原因而发生变更，恕不另行通知。
使用时请务必获取最新的规格书，以便确认。
产品状况
| Part No. |
Package |
Status
* |
RoHS |
Packing
style |
Package
quantity |
Sales |
| US5U3TR |
TUMT5 |
Active |
Yes |
Taping |
3000 |
Inquiry |
*Active：量产体制 Preparation：事前准备 Preview：开发中
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 晶体管
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4MB)
7.09MB)
数据表 (75K)
使用时的注意事项