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QS6M4
外观
TSMT6
外形尺寸
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等价电路图
[ 产品概要 ]
电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特长
• 2.5V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET
产品规格
| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) (Tr1) |
| Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) |
30 |
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| Gate-Source voltage VGSS(V) |
12 |
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| Drain current(continuous) ID(A) |
±1.5 |
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| Source current(body Di) IS(A) |
0.8 |
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| Total power dissipation PD(W) |
1.25 |
Mounted on a ceramic board |
| Channel temperature Tch(°C) |
150 |
|
| Storage temperature Tstg(°C) |
-55 ~ +150 |
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| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) (Tr2) |
| Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) |
-20 |
|
| Gate-Source voltage VGSS(V) |
-12 |
|
| Drain current(continuous) ID(A) |
±1.5 |
|
| Source current(body Di) IS(A) |
-0.75 |
|
| Total power dissipation PD(W) |
1.25 |
Mounted on a ceramic board |
| Channel temperature Tch(°C) |
150 |
|
| Storage temperature Tstg(°C) |
-55 ~ +150 |
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*所述内容会因改良等原因而发生变更，恕不另行通知。
使用时请务必获取最新的规格书，以便确认。
产品状况
| Part No. |
Package |
Status
* |
RoHS |
Packing
style |
Package
quantity |
Sales |
| QS6M4TR |
TSMT6/SC-95
@ROHM/JEDEC |
Active |
Yes |
Taping |
3000 |
Inquiry |
*Active：量产体制 Preparation：事前准备 Preview：开发中
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 晶体管
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4MB)
7.09MB)
数据表 (98K)
使用时的注意事项