使用时即使是瞬间超过绝对最大额定值也不行，那样有可能出现击穿而损坏晶体管，或者造成hFE下降等性能退化。单发脉冲情况下可使用的范围要确认安全工作区（SOA）。连续脉冲情况下，需要进行功率计算和元件温度计算。具体的判断步骤请参考｢判断能否使用的方法｣、｢元件温度计算方法｣。
(另外，请同时参考与“降低额定值”相关的内容。）

基极电流的最大额定值是集电极电流最大额定值的1/3（达林顿连接晶体管是1/10）。
以2SD2656为例
因为集电极电流的最大额定值在DC情况下是1A，在脉冲情况下是2A，所以基极电流的最大额定值就是DC情况下为333mA，脉冲情况下为666mA。
对于数字晶体管，如果遵照规格说明书上记载的Vin的额定值，那就以输入电流保持在额定值内为前提来设定Vin的额定值。

对于NPN晶体管，发射极接地，给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的V_CEO。
（对于PNP晶体管，集电极接地，给发射极加上正电压时的耐压是V_CEO。）
与此相反，（NPN晶体管集电极接地，给发射极加上正电压时）的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右，所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下（如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压，就有可能发生hFE下降等性能退化的情况）。集电极-发射极间的反向电压如果在5V以下，就只有漏电流大小的电流通过。

hFE值的范围本公司的规格说明书上有记载，有标明了上限和下限的，也有只标明了下限的。对于上限和下限都标明了的，它的实际值就是上下限之间整个范围的值；对于只标明了下限的，其hFE值的范围多数都等于下限值的数倍。详细情况请向“本公司营业部门”咨询。

以DTC114EKA为例做如下说明。

温度为25℃时，发射极－基极间正向电压约为0.7V。温度变化时，温度每上升1℃该正向电压便减小约2.2mV。例如，50℃时约为0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。反之，温度降低到-40℃时约为0.7+ (25℃- (-40℃))×2.2mV= 0.843V。
请注意，就是这样，正向电压V_F也受温度影响而变化。而且，25℃时的正向电压无论如何也就大致为0.7V，有±0.1上下的偏差。

对于数字晶体管，内置电阻R1、R2有±30％上下的偏差，所以要考虑并计算电阻值为最不利的情况。
由于正向电压和电阻值都有偏差，所以可以认为上述计算方法得到的结果无论如何也就是大致的基准值。

以DTC114EKA为例做如下说明。

根据以上所述，如果把使数字晶体管导通的电压Vi ( on )当做一般性参数，正向电压为Vf，就有Vi ( on ) = ( Vf/R1)×R2+Vf。

由此结果可知，数字晶体管的导通电压由R1与R2的比来决定。
例如，ROHM 的数字晶体管 DTC114EKA 就是型号中的字母‘ E ’（3位数字后的罗马字母），根据R1和这个3位数字后的罗马字母就知道导通电压。如果25℃下Vf = 0.7V ，则如下图所示。

根据上面讨论的结果，以DTC143XKA为例，它的激励电压就约为1.05V；以DTC114YKA为例，它的激励电压就约为0.84V。

* 实际上，要考虑到激励电压受电阻值比和Vf 的偏差影响而有20～30％左右的偏差之外，还有温度变化造成的变动，所以无论如何它也就是一个大致的基准值。在做实际使用设计时要留有足够的余量。

(正确计算得到的结果大致上是：25℃下输出电流为100μA上下时Vf = 0.5～0.6V上下；输出电流为1mA上下时Vf = 0.6～0.7V上下）。

* 以上所述虽然是以DTC型（NPN 型）为例，但由于DTA型等PNP型的Vf 值几乎相等，所以对于PNP型上述结果也成立。

1.5V激励的意思是栅极ー源极間電圧最低到1.5V还可以激励的意思，所以换成1.8V、2.5V 激励是可以的。但是，在栅极ー源极间所加电压为最大额定值±10V以上时，请使用4V激励产品。

每种产品都有SOA（Safe Operating Area)，如果在此区域内那肯定能用。
例如：V_DS=20V、Idpeak=2A、Pw=100μs 时 ⇒　Pw=100μs 的区域内，可以使用。

小信号封装产品可以适用。(请通过其他途径询问)。

容许损耗（Pc)需要降低（降低额定值），以便与环境温度（Ta）相适应。请根据下面的特性曲线使晶体管的消耗功率降低到与环境温度相适应的程度。



也有必要降低安全工作区（SOA)的额定值，具体情况请参考「为了放心使用ROHM的晶体管-TR能否使用的判断方法」。

而且，电特性（ 以双极晶体管/数字晶体管的输入电压(V_BE， V_I(on)， V_I(off) )和 h_FE， G_I为例）受温度影响会有变化。所以，设计时要参考电特性曲线，以保证温度变化时也能正常工作。MOSFET也要这样考虑。