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10V驱动型 Nch MOSFET

R5011FNX

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外观

R5011FNX Outline

TO-220FM

外形尺寸

R5011FNX Dimensions

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等价电路图

R5011FNX 等价电路图

[ 产品概要 ]

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用新流程的「针对开关电源的高効率高耐圧设备」而实现节能的功率MOSFET、有着丰富的产品线可以对应各种市场需求。

特长

• 10V驱动型 Nch 功率MOSFET

产品规格

绝对最大额定值 (Ta=25ºC)
Rated parameters Standard value Conditions
Drain-Source voltage VDSS(V) 500  
Gate-Source voltage VGSS(V) ±30  
Drain current(continuous) ID(A) ±11 Please use the device with SOA(safety operation area)
Source current(body Di) IS(A) 11 Please use the device with SOA(safety operation area)
Total power dissipation PD(W) 50  
Channel temperature Tch(°C) 150  
Storage temperature Tstg(°C) -55 ~ +150  

*所述内容会因改良等原因而发生变更，恕不另行通知。
使用时请务必获取最新的规格书，以便确认。

产品状况

Part No. Package Status
*		 RoHS Packing
style		 Package
quantity		 Sales
R5011FNX TO-220FM Active Yes bulk 500 Inquiry

*Active：量产体制  Preparation：事前准备  Preview：开发中


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