10V驱动型 Nch MOSFET
R5011FNX
外观
TO-220FM
外形尺寸
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等价电路图
[ 产品概要 ]
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用新流程的「针对开关电源的高効率高耐圧设备」而实现节能的功率MOSFET、有着丰富的产品线可以对应各种市场需求。
特长
• 10V驱动型 Nch 功率MOSFET
产品规格
| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) | ||
| Rated parameters | Standard value | Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) | 500 | |
| Gate-Source voltage VGSS(V) | ±30 | |
| Drain current(continuous) ID(A) | ±11 | Please use the device with SOA(safety operation area) |
| Source current(body Di) IS(A) | 11 | Please use the device with SOA(safety operation area) |
| Total power dissipation PD(W) | 50 | |
| Channel temperature Tch(°C) | 150 | |
| Storage temperature Tstg(°C) | -55 ~ +150 | |
*所述内容会因改良等原因而发生变更，恕不另行通知。
使用时请务必获取最新的规格书，以便确认。
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