R6008ANX | MOSFET | 晶体管 | 分立式半导体

10V驱动型 Nch MOSFET

R6008ANX NEW

数据表 (PDF, 237K)		Design Model SPICE (PDF, 7K) SPICE (lib)
使用上的注意事项		焊接条件

外观

R6008ANX Outline

TO-220FM

外形尺寸

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等价电路图

R6008ANX Equivalent circuit diagram

[ 产品概要 ]

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

• 4V驱动型 Nch 小信号MOSFET

绝对最大额定值 (Ta=25ºC)
Rated parameters	Standard value	Conditions
Drain-Source voltage V_DSS(V)	600
Gate-Source voltage V_GSS(V)	±30
Drain current(continuous) I_D(A)	±8
Source current(body Di) I_S(A)	8
Total power dissipation P_D	-
Channel temperature Tch(ºC)	150
Storage temperature Tstg(ºC)	-55 to +150

Part No.	Package	Status *	RoHS	Constitution materials list	Packing style	Package quantity	Sales
R6008ANX	TO-220FM	Active	Yes		bulk	500	Inquiry

*Active：量产体制 Preparation：事前准备 Preview：开发中

关于类似产品,请参照 "特性一览表"。