耐压250V的MOSFET RC系列 
|
PrestoMOSTM |
小型复合 VMT6封装 |
1.2V驱动 MOSFET |
LED背光驱动用功率MOSFET |
MPT6封装 | 高速开关耐高压MOSFET | 静音用晶体管 | KMD2封装 |
第二代肖特基二极管
|
PrestoMOSTM |
小型复合 VMT6封装 |
1.2V驱动 MOSFET |
LED背光驱动用功率MOSFET | MPT6封装 | 高速开关耐高压MOSFET | 静音用晶体管 | KMD2封装
|
第二代肖特基二极管
RCX330N25 / RCX510N25
依靠开发出的新工艺以及对芯片设计进行最佳化，同时实现了高性能、高抗di/dt破坏能和低导通电阻。最适合要求高效率、节能和抗di/dt破坏能的马达驱动电路和投影仪光源电路等。
产品线新增添了最适合电源一体型逆变器等的高速trr型高耐压MOSFET「PrestoMOS系列」。高速开关以及内部二极管的高速trr化不仅有利于高效率和低损耗化，更有助于电源电路板实现小型化。
VMT3封装中装配有2个元件，实现了小型化。它与EMT6封装相比，安装面积减小43%。VMT3封装的复合化成为可能。由于VT6T11、VT6T12、VT6X11和VT6X12能够保证2元件的对偶性，所以对电流镜像电路最为适合(hFE1/hFE=2.09 to 1.1)。
ECOMOSTM系列
通过使用新低电压驱动工艺，在VGS=1.2V时实现稳定动作。另外，与传统2.5V驱动产品比较，大幅度地降低了导通电阻。这是在ON状态下功耗降低90%的节能系列产品。
此产品是与CCFL(EEFL)相比环境负荷较小的LED背光灯。LED背光驱动用功率 MOSFET系列为最适合用于LED背光灯的升压变换器、负载开关电路的VDSS＝45V/60V。而且，凭借业界最高级别的低导通电阻，削减ON状态下的功耗。
RP1E090RP / RP1E075RP
以4540尺寸实现2W的高功率。与以往的SOP8封装相比，安装面积缩减40％、高度降低43％，有利于设备的小型化。而且，通过采用新开发的低导通电阻元件，实现了与SOP8双元件产品同样的导通电阻。
新一代R50□□/R60□□系列
通过使用新开发的低ON电阻工艺、ON电阻下降为传统产品的50％。大幅度提高开关速度，降低开关损失。
通过使用Cu类框架，减少了磁场的影响 (US6H23)。有助于实现高音质。由于导通电阻的降低，衰减率得到大幅提高，而且双元型削减了零件数量，有助于节能和节省空间。
RB551SS-30 / RB161SS-20 / RB550SS-30 / RB160SS-40
ROHM的肖特基势垒二极管的小型大功率KMD2封装(2机种)开始批量生产!!所谓KMD2封装，是根据ROHM独创的芯片构造开发和世界最小级(0.6mm×0.3mm)的小信号二极管封装「GMD2」所积累的超精密加工技术成功开发出来的，是世界上最小级别的功率型二极管封装(1.6mm×0.8mm)。今后将继续扩充SBD产品并计划开发齐纳二极管产品系列。
RSX 系列
采用特有的细微加工及设计结构，在与传统产品交替使用时，可以同时降低相关的VF与低IR。更加可以实现高ESD耐量。
