Electrically　Erasable　Programable　ROM（电可擦可编程非易失存储器）。
安装在电路板上输入电信号，可以改写每个地址的数据。
ROHM的EEPROM可改写的次数达到业界最高水平的100万次，数据可以保存40年。 系列中的所有型号产品，其存储器单元都采用ROHM独创的 W-CELL（双单元） 技术，其无可匹敌的高可靠性令人自豪（数据“ 随机失效”为零）。

数据保持年数(40年)和可改写次数(100万次)这两种特性互不相关。例如，改写100万次以后数据还是可以保持40年。

数据保持年数与可改写次数的实际值均与温度条件有关。对实际数据如有需要可通过本公司营业部门了解。

可在串行2线式 400kHz条件下工作（完全遵照世界标准的I²C BUS）。
是最常用的接口，正以数字家电、蓝牙模块、白色家电为主被广泛使用。

可在串行3线式 5MHz条件下工作（完全遵照世界标准的SPI BUS）。
适用于高速通信，目前的应用主要是车载、无线LAN、DVC、DSC等。

可在串行3线式 2MHz条件下工作（完全遵照世界标准的Microwire BUS）。
目前的应用主要是车载、HDD、MotherBoard等。

ROHM独创的高可靠性存储单元结构。
通常（和我们竞争的其他公司）分配给1bit的存储单元是1个单元，一旦存储单元出现随机失效数据就会产生意料之外的改变。
但是，ROHM给1bit分配2个单元，如果有1个单元出现随机失效另一个存储单元还可以起作用，所以数据不会产生意外的改变。这样，就可以保护好用户重要的数据。

随机失效就是在用户使用过程中，存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
EEPROM的存储单元，改写次数是有限制的（ROHM的产品最多可改写100万次）。
在此限制次数内，保证不会出现随机失效，这样的保证是哪个公司都没有的（出厂时确认所有bit都没有问题）。
为了降低随机失效率，ROHM采用 W-CELL（双单元） 结构，实现了数据的高可靠性。

已被记载于与用户要寻找的某型号产品的详细网页上的“封装”相链接的外形尺寸图内的“贴装规格”部分。
或请参阅下列事项。

请打电话询问附近的营业总部或营业所，或到这里的咨询台来询问。

本公司没有特别推荐的产品。

请注意:不要买卖已被列入废弃产品号码清单的产品。请考虑代用产品。
请参阅“ 废弃产品号码清单”。

虽然不具有完全的互换性，但请参考功能上可互换的下述系列产品。
数据表也可以下载。

防止低电压误写入电路（LVcc电路）就会工作，取消写指令，避免错误写入。
电源上升时注意事项　使电源上升到“ Power On Reset（P.O.R电路）”工作。

指定的地址数据变样。请再重写一遍。未指定的地址数据不会变样。

电源上升时的IC内部复位功能。
电源上升时，由于IC内部电路和整机处于不稳定的低压区而Vcc上升，因此建议升高电源以使IC内部电路完全复位。所以，把使POR电路工作的建议条件示于数据表中。

是每个地址。

每bit保证可改写100万次。

没有整片IC的可改写次数。

注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。

注2)可改写次数与数据保持年数无关。

可以。

EEPROM写入100万次以后，存储单元内的浮置栅就变得难于保存电荷了，迟早会变得无法写入。
无法注入电荷的单元变成L 。

可从最后一次改写完了后保持40年。可保证40年。

I²C BUS
  写入时间的定义是:字节写时是写入1byte的时间；页写时是写入1页的时间。

SPI BUS
  写入时间的定义是:字节写时是写入1byte的时间；页写时是写入1页的时间。页写时是写入1页的时间。

Microwire Bus (BR93L□□ 系列, BR93H□□ 系列)
  写入时间的定义是:写周期（WRITE）时是写入1byte的时间；全地址写周期（WRAL）时是写入所有地址的时间。

在100kHz max.条件下工作称为STANDARD-MODE；在400kHz max.条件下工作称为FAST-MODE。
两种模式各自的条件分别是:1.8VVcc<2.5V＝100KHz max.　2.5VVcc5.5V＝400kHｚ max。

由于内部根本没有NC，所以接GND或Vcc哪一个都没有问题。

为与I²C BUS配合使用，必需设定从属地址。

因此，尽管使用引脚 A2/A1/A0，但4Kbit/8Kbit/16Kbit被用于WORD ADDRESS设定 （每种容量的详细情况在技术性注释 7/32 页 Device addressing部分有记载），该引脚就是NC引脚，接GND或Vcc哪一个都没有问题。

会出问题，请不要在开路状态下使用。
A0、A1、A2引脚代表设备地址。
只在此引脚的H／L状态与从SCL、SDA串行输入的A2、A1、A0(设备地址)一致时，
如果此设备被选中EEPROM才识别并正常工作。
A0、A1、A2引脚处于开路状态时，对引脚状态不予规定，可以认为这时设备地址出现不一致情况而不工作。

如果在罗姆推荐的工作条件下写入，数据的可靠性没有问题。

关于可靠性试验项目的详细情况，请浏览罗姆在EEPROM网页上登载的可靠性试验结果。

如果加大输入PIN的上拉（下拉）电阻的值，便可以降低上升时的脉冲。
但是，输入信号的上升、下降会变迟，所以要注意工作时序特性。

因为微机的DI/O输出与EEPROM的DO输出的在下述2种情况下会发生数据冲突，所以电阻是必要的。

1. 执行读出指令时提取A0地址数据的 1个时钟周期。
   输入地址数据A0 =“1”时，与虚假位“0”的输出冲突而发生穿透电流路径。
2. 写入命令后的CS = “H”的时序。
   在写入指令后输入命令时，如果把微型机的DI/O输出作为“L”而使CS输入上升的话，从DO引脚就会输出READY输出“H”，产生通透电流路径。
   这时，DI=H,SK=H 。如果使CS输入上升则可作为起始位被识别，因此在CS输入上升时应该是SK=L 。

页选位是高位地址指定位。
虽然命令指令内的WA7～WA0的8位被设置为地址指定位，但由于只有大约 256个组合，所以容量为4Kbit以上的EEPROM在从属地址内分配地址指定位。
因此，页选位请按如下所述作为WA7～0的延续来处理。

BR24L04-W　　　PS　→　WA8
BR24L08-W　　　P1　→　WA9　　P0　→　WA8
BR24L16-W　　　P2　→　WA10 　P1　→　WA9　　P0　→　WA8
(参考)

产品型号	地址数	所需位数	指定地址	位名
BR24L02-W	256	8		WA7～WA0
BR24L04-W	512	9	PS	WA7～WA0
BR24L08-W	1024	10	P1,P0	WA7～WA0
BR24L16-W	2048	11	P2,P1,P0	WA7～WA0

输入电压处于中间电位的情况下，无法判定引脚是H输入还是L输入。
输入电路存在滞后，典型值约为0.2V 。

That ROHM EEPROMs comply with the RoHS Directive.

可以从罗姆的EEPROM网页上查找到。