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DDR-SDRAM内核用内置FET开关稳压器

Switching Regulators with MOSFET for DDR-SDRAM Cores

ROHM的用于DDR-SDRAM内核的内置FET的开关电源,以高精度和优异的响应特性实现了用于DDR-SDRAM内核的电源。从宽输入电压范围(4.5 ~ 28V)通过大电流可以实现低输出电压(0.7 ~ 5.0V)。这是适于DDR-SDRAM的低电压化、大电流化的IC。内置了3A ~ 6A的FET,能够节省空间。 

ロームのPC用高性能稳压器IC

※详细内容请点击此处
规格 产品名称 封装 功能
1ch 0.7V-5.0V Variable Output 3A Type
1ch 0.7V-5.0V Variable Output 4A Type
1ch 0.7V-5.0V Variable Output 6A Type


用途框图

评估主板

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特长

内置大电流FET,提高了空间优势

PC的功能逐年增加,电源所占的面积越来越少。基于这种状况开发的是用于DDR-SDRAM内核的内置FET的开关电源。如右图所示,这种电源IC从传统电源结构中产生了大幅的空间优势。

 
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通过切换到SLLM(PFM)控制、QLLM控制,即使暂停时也可实现高效率
通过使能(EN)端子和软启动(SS)端子可以轻松地控制多个电源的序列
通过高速负荷响应确保了DDR-SDRAM的安全工作电压
通过外接电阻,工作频率变得自由自在




开关稳压器控制器

Part No. Input Voltage
(Vcc)
(V)
Input Voltage
(Vin)
(V)
Output
current
(A)
Output
voltage
(V)
Voltage
precision
(%)
NRCS
(soft start)
Thermal
shut down
UVLO Output
over
voltage
protection
Package RoHS ROHM E-Lab.
Reset
BD95513MUV Internal 5V Reg 4.5 ~ 28.0 3 0.7 ~ 5.0 ±1 Variable Recovery Yes Yes VQFN032V5050 Yes
BD95514MUV Internal 5V Reg 4.5 ~ 28.0 4 0.7 ~ 5.0 ±1 Variable Recovery Yes Yes VQFN032V5050 Yes -
BD95500MUV 4.5 ~ 5.5 3.0 ~ 20.0 6 0.7 ~ 5.0 ±1 Variable Recovery Yes Yes VQFN040V6060 Yes -

 

PC用高性能稳压器IC系列

相互对照表

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