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  • 何谓随机失效?
    • 随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      EEPROM的存储单元,改写次数是有限制的(ROHM的产品最多可改写100万次)。
      在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
      为了降低随机失效率,ROHM采用 W-CELL(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
  • 关于SPI的EEPROM,
    请告知BR25H-2C相对于BR35H-WC系列的不同点、改善点和替换方法。
    • 从BR35H-WC系列到BR25H-2C系列追加的功能有以下3点。
      追加功能端子
      将NC端子变更成保持(HOLDB)端子、写保护(WPB)端子
      在状态寄存器中追加WPEN、BP1、BP0(3bit)
      WPEN (写保护使能): WPB端子的有效/无效设定(仅8Kbit以上的产品)
      BP1、BP0 (块保护):写入禁止范围设定
      追加写入状态寄存器指令
      追加到状态寄存器的3bit使用EEPROM单元,可以通过指令写入。如果未使用HOLDB、WPB端子,请对VCC进行上拉处理(无需电阻)。在特性方面,改善了数据保存特性、改写次数、写入时间,并具有高端兼容性,可直接替换。请参考比较资料。

      相关链接:技术资料
  • 关于Microwire的EEPROM,
    上拉/下拉输入端子(CS、SK、DI)、输出端子(DO)时,需要插入电阻吗?
    • CS端子[需要下拉电阻]为防止电源在ON/OFF时的CS不稳定引起的误写入,请在CS端子处连接下拉电阻。SK、DI端子[无需上拉/下拉电阻]如将下拉电阻和CS端子连接,电源ON/OFF时确定“L”,SK、DI端子就会被忽略,这样就无需特别的下拉电阻。DO 输出 (在数据读取和写入指令后输出READY/BUSY时除外“High-Z”)[无需上拉/下拉电阻]DO为“High-Z”,但指令侧没有影响时,不需要上拉/下拉电阻。[需要上拉/下拉电阻]DO为“High-Z”,但如果指令侧有可能会误动作,需要上拉/下拉电阻。对象产品:BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列

  • 关于EEPROM,
    请告知如何在接通电源时禁止误写入。
    • 请遵守Datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
      在VCC完全上升之前,请将输入端子保持以下状态。
      • Microwire: 将CS端子下拉成GND (对象产品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列)
      • SPI: 将CSB端子上拉成VCC (对象产品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列)
      • I2C: 将SDA设为“H”,且将SCL设成“H”或“L” (对象产品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列)
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