发布1200V/300A "全SiC"功率模块
"BSM300D12P2E001"产品信息

适用于大功率应用。1200V/300A

产品概要

BSM300D12P2E001

"全SiC"功率模块120A、180A产品基础上,增加了300A产品"BSM300D12P2E001"。
由此可以探讨在工业设备大容量电源等大功率应用中使用。另外,与一般的Si-IGBT模块相比,可明显降低开关损耗,高频驱动,因此有助于周边元器件和冷却系统实现小型化。

产品阵容

"全SiC"功率模块阵容中增加300A产品!
型号 绝对最大额定值(Ta=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
封装 热敏电阻 内部电路图
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC
1min.)
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
- Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 -40 to
+150
20 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS -Trench Gate)
180 -40 to
+175
10 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 -40 to
+175
7.3 E
type
Internal Circuit Diagram(BSM300D12P2E001)
外形尺寸图
C type E type
C type E type

■ 今后的展开

进一步大电流化、进一步高耐压化

采用高耐压模块、沟槽结构SiC元器件,开发出额定电流更大的产品,不断强化产品阵容。

特点1:通过降低开关损耗实现高频化

与同等额定电流的IGBT模块相比,可以明显降低开关损耗。通过替换IGBT模块,有望大幅降低开关损耗,实现冷却装置的小型化。另外,进行高频开关工作,可实现线圈、电容等周边元器件的小型化。 通过采用SiC模块,实现高效率化的同时,有助于设备小型化。

特長2:在大电流应用中可放心设计

SiCモジュールでスイッチング損失低減!高周波化も可能
  • 通过独有的设计技术,电感约减少一半。
    由此,开发出300A额定电流产品。
  • 搭载热敏电阻,防止升温过度。