ROHM扩充"全SiC"功率模块产品阵容
支持1200V/300A,可搭载于大功率应用

2015年05月05日

【ROHM半导体(上海)有限公司 05月05日上海讯】

BSM300D12P2E001(E Type)

全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出额定1200V/300A的"全SiC"功率模块"BSM300D12P2E001"。
本产品实现了300A的额定电流,因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。另外,与一般的IGBT模块相比,开关损耗降低了77%,可高频驱动,因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。
本模块已经开始出售样品,预计于2015年6月份开始量产出货。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(福冈县),后期工序的生产基地为ROHM总部工厂(京都市)。

<背景>

自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率模块投入量产以来,生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果,支持更大电流的产品阵容倍受期待,但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能,需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响(大电流化带来的课题)的新封装。
此次,ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构,与以往产品相比,成功地大幅降低了模块内部电感。由此,可抑制浪涌电压,从而实现了300A的更大电流。
今后,ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块,并使用沟槽式结构的SiC元器件,开发出更大额定电流的产品,不断强化产品阵容。

向更大电流化・高耐压化发展     与一般的IGBT相比开关损耗降低77%

 

<特点>

通过使用SiC模块降低开关损耗!可以实现高频化

1. 降低开关损耗,实现高频化

与同等额定电流的IGBT模块相比,开关损耗降低了77%。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗,进一步实现冷却机构的小型化。另外,通过更高频率的开关动作,还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC模块,不仅可实现更高效率,还有助于设备的小型化。

 

2. 降低封装内部电感,实现更大电流

随着对功率模块产品的更大额定电流的追求,开关工作时的浪涌电压也不断增大,因此,需要降低封装内部的电感。本产品通过优化内置SiC元件的配置及内部格局,开发出内部电感比以往产品降低约一半的封装。由此,成功开发出额定电流300A的产品。

<本产品的组成>

本产品搭载SiC-SBD,SiC-MOSFET,热敏电阻
  • 搭载SiC-SBD和SiC-MOSFET的"全SiC"模块产品
  • 使用与标准的IGBT模块同样外形的封装
  • 搭载热敏电阻
  • 保证Tjmax=175℃

 

■SiC功率模块的产品阵容

产品名 绝对最大额定值(Ta=25℃) RDS(ON)
(mΩ)
封装 热敏电阻
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID(A)
(Tc=60℃)
Tj
(℃)
Tstg
(℃)
Visol(V)
(AC 1min.)
BSM120D12P2C005 1200 -6 to +22 120 -40 to +150 -40 to +125 2500 50 C type -
BSM180D12P2C101 1200 -6 to +22 180 -40 to +150 -40 to +125 2500 12.8 C type -
NEW
BSM300D12P2E001
1200 -6 to +22 300 -40 to +175 -40 to +125 2500 7.3 E tyle

<术语解说>

  • 电感
    表示使流动的电流发生变化时因电磁感应产生的电动势的大小的量。
  • 热敏电阻
    对于温度变化,电阻变化较大的电阻体。作为测量温度的传感器使用。
  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
    绝缘栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
  • MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
    金属-氧化物-半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
  • SBD(Schottky Barrier Diode)
    通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结,利用其可获得整流性(二极管特性)的二极管。具有"无少数载流子存储效应、高速性能卓越"的特点。

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