罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET,产品阵容扩充达16种
~实现业界最高级别的开关性能~

2012-06-19

DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器,开发出了功率MOSFET。
新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性,有助于各种设备的DC/DC电源电路实现更低功耗。另外,根据不同用途提供3种小型封装,可减少安装面积,更加节省空间。
关于生产基地,前期工序在罗姆的总部(日本京都市),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国),从2012年4月开始出售样品(样品价格30~50日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。

近年来,随着服务器和笔记本电脑等的高性能化发展,CPU等的功耗不断增加,工作电压越发低电压化,设备的电源电路的温升和电池驱动时间减少已成为很大问题。在这种情况下,在同期整流方式降压型DC/DC转换器等各种电源电路中内置功率MOSFET,使之承担与提高电源的电力转换效率直接相关的重要作用。为了实现高效低损耗的功率MOSFET,降低导通电阻和栅极容量是非常重要的,然而权衡两者的关系后,往往很难同时兼顾。

新系列产品,除了进一步微细化,采用罗姆独家的低容量构造和新的"沟槽式场板结构",同时实现了低栅极容量与低导通电阻。作为DC/DC转换器用功率MOSFET的性能指数所使用的"FOM"与传统产品相比降低了50%,达到了业界顶级的高效性。由此,不仅降低了同期整流型DC/DC电源电路的高边(High Side)的开关损耗,而且降低了低边(Low Side)的导通损耗,可大大提高电路整体的效率。另外,能够在高频下进行同期整流动作,使外围部件的小型化成为可能。
此外,本产品为了确保在同期整流电路中的性能,针对Rg(栅极电阻)、UIS(L负载雪崩耐量)实施了100%试验,在质量方面也具有高可靠性。罗姆今后也将充分发挥独创的先进工艺加工技术,不断推进设想到客户需求的晶体管产品的开发。


<特点>

1) 低导通电阻、低容量
进一步微细化,同时,采用罗姆独家的低容量构造和新的"沟槽式场板结构",实现了低容量与低导通电阻兼备的元件。与罗姆传统产品相比,表示功率MOSFET的性能指数的"FOM"数值可降低50%。

低导通电阻、低容量

2) 实现业界顶级的高效率
在同期整流型DC/DC电源电路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低电力损耗,因此有助于设备的更低功耗。特别是高频下的特性卓越,使外围部件的小型化成为可能。

实现业界顶级的高效率

3) 采用小型封装,有助于更加节省空间,产品阵容中还包括复合封装
根据不同用途,提供3种小型封装。HSMT8比HSOP8的安装面积减少了65%,为节省空间做出巨大贡献。而且,产品阵容中还包括DC/DC电源电路中的高边(High Side)用MOSFET与低边(Low Side)用MOSFET复合化的新封装HSOP8(Dual)。不仅安装面积减小,而且还可有助于减少安装次数。

采用小型封装,有助于更加节省空间,产品阵容中还包括复合封装

<规格>


PKG P/N VDS VGS ID Ron Qg Qgd
Vgs=10V Vgs=4.5V
[V] [V] [A] [mΩ] [nC]
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Typ.
HSOP8
(Single)
(5.0×6.0mm)
RS1E350GN 30 20 35 1.2 1.6 1.5 2.0 33.0 7.7
RS1E320GN 30 20 32 1.4 1.9 1.8 2.4 26.0 6.8
RS1E300GN 30 20 30 1.7 2.2 2.2 2.8 23.0 6.5
RS1E280GN 30 20 28 2.0 2.6 2.6 3.3 20.0 5.4
RS1E240GN 30 20 24 2.6 3.3 3.3 4.4 13.0 3.2
RS1E200GN 30 20 20 3.6 4.6 4.7 6.1 9.0 2.2
RS1E170GN 30 20 17 5.1 6.7 6.7 8.7 5.9 1.6
RS1E150GN 30 20 15 6.7 8.8 8.8 11.4 4.8 1.1
RS1E130GN 30 20 13 8.9 11.7 11.7 15.2 3.9 0.8
HSMT8
(3.3×3.3mm)
RQ3E180GN 30 20 18 3.3 4.3 4.3 5.5 11.6 3.9
RQ3E150GN 30 20 15 4.7 6.1 6.2 8.1 7.6 2.3
RQ3E120GN 30 20 12 6.7 8.8 9.1 11.8 4.8 1.1
RQ3E100GN 30 20 10 8.9 11.7 12.0 15.7 3.9 0.8
RQ3E080GN 30 20 8 12.9 16.7 17.5 22.8 2.5 0.6
HSOP8
(Dual)
(5.0×6.0mm)
HP8K20 30 20 17 5.1 6.7 6.7 8.7 5.9 1.6
30 20 28 2.1 2.7 2.7 3.5 20.0 4.8
HP8K21 30 20 17 5.1 6.7 6.7 8.7 5.9 1.6
30 20 32 1.9 2.4 2.4 3.1 23.0 6.5


<术语解说>

  1. DC/DC转换器
    将直流电压转换为直流电压的电源电路。例如,将服务器和电脑等设备内部的12V标准电压转换为使微处理器和存储器等IC工作的各种电压(5V~0.9V等)。
  2. FOM(Figure of merit)
    表示功率MOSFET性能的指数,以Ron×Qgd的数值表示。数值越小越优异。

相关信息  :  MOSFET


 

关于这个产品的询问