罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基势垒二极管
~降低车载、电源设备的功耗约40%~

2012-06-26

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管"RBxx8系列"。与传统的车载用整流二极管相比,可降低约40%的功耗,非常有助于电动车(EV)和混合动力车(HEV)等要求更低功耗的电路节能。
本产品已从1月份开始销售样品(样品价格50~200日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。关于生产基地,前期工序在罗姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本冈山县),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰国)、ROHM Korea Corporation(韩国)进行。

高温环境下使用的车载、电源设备的电路中,由于担心热失控,因此普遍采用整流二极管和快速恢复二极管(FRD)。但是由于整流二极管和FRD的VF值较高,因此很难实现EV和HEV所要求的更低功耗。在这种背景下,VF值较低的肖特基势垒二极管(SBD)在高温环境下亦可安全使用的产品的开发需求逐年高涨。

此次,罗姆通过采用最适合高温环境的金属,实现了业界顶级低IR化。与传统的SBD相比,IR降低到约1/100,使高温环境下的使用成为可能。 由此,整流二极管和FRD的替换成为可能,VF特性得以大幅改善(与传统的FRD相比,VF降低约40%)。另外,更低VF可以抑制发热,成功实现小型化封装,有助于不断电子化、小型化需求高涨的EV、HEV节省空间。
罗姆今后还会进一步推进整流二极管的替换带来的低VF化、小型化,不断为提高车载、电源设备的效率做出贡献。


<特点>
1) 与传统产品相比,损耗约降低40%
与一般用于车载的FRD相比,VF降低约40%。有助于降低功耗。

与传统产品相比,损耗约降低40%
 
2) 小型封装有助于节省空间
与传统产品相比,可实现小一号尺寸的封装设计。

小型封装有助于节省空间
 
3) 高温环境下亦无热失控
实现了超低IR,因此Ta=150ºC也不会发生热失控,可在车载等高温环境下使用。

高温环境下亦无热失控
 

<规格> 


Package Part No. 绝对最大额定值 电气特性 (Ta=25ºC)
VR(V) IO(A) VF(V)
Max.
IF(A) IR(uA)
Max.
VR(V)
TUMD2 RB558VA150 150 0.5 0.95 0.5 0.5 150
PMDU RB168M-40 40 1 0.65 1 0.55 40
RB168M-60 60 1 0.68 1 1.5 60
RB168M150 150 1 0.84 1 20 150
PMDS RB068L-40 40 2 0.69 2 1 40
RB068L-60 60 2 0.70 2 2 60
RB068L100 100 2 0.80 2 50 100
☆ RB068L-150 150 2 0.85 2 5 150
RB058L-40 40 3 0.70 3 5 40
RB058L-60 60 3 0.64 3 4 60
CPD RB088B150 150 10 0.88 5 15 150
LPDS RB088NS150 150 10 0.88 5 15 150
RB288NS100 100 30 0.87 5 150 100
TO-220FN RB088T150 150 10 0.88 5 15 150
RB228T100 100 30 0.87 5 150 100

☆ 开发中



<术语解说>

  1. 肖特基势垒二极管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
    使金属和半导体接触从而形成肖特基结,利用其可得到整流性(二极管特性)的二极管。具有"正向压降少、开关速度快"的特点。主要用于开关电源等。
  2. 快速恢复二极管(Fast Recovery Diode: FRD)
    正向施加的电压向反向切换时,反向电流瞬间流过。这种电流到零之间的时间―即反向恢复时间快的一种二极管。
  3. VF( Forward Voltage)
    是指正向电流经过时二极管产生的电压值。数值越小功耗越少。
  4. IR(Reverse Current)
    是指施加反向电压时发生的反向电流。数值越小功耗越少。
  5. 热失控
    反向损耗超过散热,损耗进一步增加,产品温度呈指数级上升的状态。



关于这个产品的询问