罗姆推出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET,现已量产

2012-03-01

日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)面向太阳能发电的功率调节器市场,开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET"R5050DNZ0C9"(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装,于9月中旬开始提供样品(样品价格:1000日元/个),并已于2011年12月份开始投入量产。

随着节能趋势渐行渐强,作为可再生能源的代表,太阳能发电市场规模不断扩大。其功率调节器领域,正在努力通过电源转换效率的改善实现节电,因此对实现更低损耗的功率MOSFET的需求不断高涨。罗姆此前也一直利用多层外延生长方式,为客户提供多层纵向pn结的超结结构的功率MOSFET,持续为高效化作出了貢献。但是,由于这种方式的制造工序复杂,因此具有难于微细化和提高生产性能的课题。

此次,罗姆采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术,通过微细化及杂质浓度的优化,与传统产品相比,将导通电阻成功降低了约47%。此产品不仅非常适合低导通电阻容易体现出来的转换器部分,而且与罗姆制造的快速恢复二极管或SiC肖特基势垒二极管等相组合,还可应用于逆变器。由于可以大幅降低电源转换时的损耗,因此将会大大有助于提高太阳能发电的效率。另外,为了适用于更多种类的电路方式,罗姆在采用本技术进一步完善高耐压产品线的同时,还将不断扩充"PrestoMOS™"系列。

罗姆今后也会继续利用独创的先进工艺加工技术,不断推进满足顾客需求的前瞻性晶体管产品的开发。
 

■高耐压功率MOSFET"R5050DNZ0C9"的主要特点

  1. 业内顶级的低导通电阻
  2. 具有卓越散热性能的TO247PLUS封装
     

■利用了Si深蚀刻技术的超结结构

采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术。 不仅可简化工序,而且适合微细化。

利用了Si深蚀刻技术的超结结构

■导通电阻降低47%

导通电阻降低47%
※以传统产品为"1"为例

 

术语解说

  1. 导通电阻
    功率器件动作时的电阻值。是影响功率MOSFET性能的最重要的参数,其值越小性能越高。
  2. 超结MOSFET
    利用耗尽层在三维空间中的的拓宽,实现了比传统产品更低损耗的功率MOSFET。
  3. SiC(Standard Industrial Classification:碳化硅)
    带隙是硅的3倍左右、绝缘破坏电场是其10倍左右、导热率是其3倍左右,是具备优异物理性能的化合物半导体,这些特性适合功率器件应用和高温动作。
    罗姆在2010年4月实现肖特基势垒二极管的量产,并于2010年12月实现了MOSFET的量产。
  4. "PrestoMOS™"系列
    低导通电阻、低Qg并且实现了内部二极管的高速trr化的高耐压MOSFET系列。
    (Presto是指:源于意大利语的意为"极其快速"的音乐用语。)
     
产品信息    MOSFET


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