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NPN 6A 30V Middle Power Transistor_2SCR562F3 (Under Development)

根据市场需求,提供从超小型到功率型的封装,以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。

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* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
2SCR562F3TR 开发中 HUML2020L3 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code DFN2020-3S
Package Size[mm] 2.0x2.0(t=0.6)
Number of terminal 3
Polarity NPN
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] 30.0
Collector current(continuous) IC1[A] 6.0
Collector Power dissipation PC[W] 1
hFE 200 to 500
hFE (Min.) 200
hFE (Max.) 500
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・启动用表面安装型三极管
 
 
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罗姆有权在任何时期变更规格
 
技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors