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1.2V Drive Nch+Pch MOSFET_EM6M2

电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
EM6M2T2R 供应中 EMT6 8000 8000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code SOT-563
JEITA Package SC-107C
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.5)
Number of terminal 6
Polarity Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.) 1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 1.6
Power Dissipation (PD)[W] 0.15
Drive Voltage[V] 1.2
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・1.2V驱动型 Nch+Pch 小信号MOSFET
 
 
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技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors