1.5V Drive Pch+SBD MOSFET_ES6U1

电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管（SBD）形成了多种产品线来对应多样的市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。

型号	Status	封装	包装数量	最小独立包装数量	包装形态	RoHS
ES6U1T2R	供应中	WEMT6	8000	8000	Taping	Yes

特性：

Grade	Standard
Package Code	SOT-563T
JEITA Package	SC-120
Package Size[mm]	1.6x1.6(t=0.6)
Number of terminal	6
Polarity	Pch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]	-12
Drain Current ID[A]	-1.3
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)	0.53
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)	0.28
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)	0.19
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)	0.53
Total gate charge Qg[nC]	2.4
Power Dissipation (PD)[W]	0.7
Drive Voltage[V]	-1.5
Reverse voltage VR (Diode) [V]	20.0
Forward Current IF (Diode) [A]	0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]	2.0
Mounting Style	Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	150

特点：

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