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4V Drive Nch+Nch MOSFET_QS8K13

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
QS8K13TCR 供应中 TSMT8 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Applications Switching
Number of terminal 8
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.028
Total gate charge Qg[nC] 5.5
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・4V驱动型 Nch+Nch 中功率MOSFET
 
 
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技术信息
Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors