主页 | 晶体管 | MOSFET | 通用MOSFET | R6008FNX
 
Downloading...

10V Drive Nch MOSFET_R6008FNX

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用新流程的「针对开关电源的高効率高耐圧设备」而实现节能的功率MOSFET、有着丰富的产品线可以对应各种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
R6008FNX 供应中 TO-220FM 500 500 Bulk Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code TO-220FM
Package Size[mm] 15.1x10.1 (t=4.6)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 8.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.73
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.73
Total gate charge Qg[nC] 20.0
Power Dissipation (PD)[W] 50.0
Drive Voltage[V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 67
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・4V驱动型 Nch 小信号MOSFET
 
 
最近阅览:
相关新产品/产品更新晶体管
New Products:
 
 
技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors