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1.2V Drive Nch MOSFET_RE1C001UN

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

基础信息
（环境数据等）  
FAQ 
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型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RE1C001UNTCL 供应中 EMT3F 3000 3000 Taping Yes
 
特性：
Grade Standard
Package Code SOT-416FL
JEITA Package SC-89
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.7)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 0.1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.) 6.0
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 4.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 3.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 2.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 6.0
Power Dissipation (PD)[W] 0.15
Drive Voltage[V] 1.2
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
more
特点：
  • · Low voltage(1.2V) drive type
    · Small Surface Mount Package
    · Built in ESD protection diode
    · Pb Free/RoHS Compliant
more
 
 
引脚配置图：
Pin Configration
 
 
 
 
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技术信息
Spice Model (lib)

Thermal Model (lib)

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors