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4.5V驱动型 Nch MOSFET_RF4E110BN

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RF4E110BNTR 供应中 HUML2020L8(Single) 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code DFN2020-8S
Package Size[mm] 2.0x2.0(t=0.6)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 11.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0118
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0085
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0118
Total gate charge Qg[nC] 12.0
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・ Low on - resistance.
    ・ High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
    ・ Halogen Free
 
 
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技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors