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1.5V Drive Nch MOSFET_RQ1C065UN

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RQ1C065UNTR 供应中 TSMT8 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 6.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.016
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.029
Total gate charge Qg[nC] 11.0
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Drive Voltage[V] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・低电压1.5V驱动型 Nch MOSFET
 
 
 
 
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技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors