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4V Drive Nch MOSFET_RQ1E075XN

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

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* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RQ1E075XNTCR 供应中 TSMT8 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Applications Switching
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 7.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.019
Total gate charge Qg[nC] 6.8
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・4V驱动型 Nch 中功率MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
技术信息
Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors