主页 | 晶体管 | MOSFET | 通用MOSFET | RS1E350GN
 
Downloading...

4.5V驱动型 Nch MOSFET_RS1E350GN

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

请联系我们的报价,因为没有分配库存。--- 咨询
* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RS1E350GNTB 供应中 HSOP8(Single) 2500 2500 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code HSOP8S(5x6)
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 35.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.00192
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.00148
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.00192
Total gate charge Qg[nC] 32.7
Power Dissipation (PD)[W] 38.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
    • Low on - resistance
    • High Power Package (HSOP8)
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
    • Halogen Free
    • 100% Rg and UIS Tested
 
 
最近阅览:
相关新产品/产品更新晶体管
New Products:
 
 
技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors