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4.5V驱动型 Nch MOSFET_RS1G120MN

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RS1G120MNTB 供应中 HSOP8(Single) 2500 2500 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code HSOP8S(5x6)
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
Applications Switching
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 40
Drain Current ID[A] 34.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0156
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0116
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0156
Total gate charge Qg[nC] 4.4
Power Dissipation (PD)[W] 25.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・ Low on-resistance.
    ・ Fast switching speed.
    ・ Drive circuits can be simple.
    ・ Parallel use is easy.
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
    ・ 100% Rg and UIS Tested
 
 
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PART NUMBER Product Name Package Datasheet Distribution Inventory
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技术信息
Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

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