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4V Drive Nch MOSFET_RSD200N05

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RSD200N05TL 供应中 CPT3 2500 2500 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code TO-252(DPAK)
JEITA Package SC-63
Package Size[mm] 6.5x9.5(t=2.3)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 45
Drain Current ID[A] 20.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.028
Total gate charge Qg[nC] 12.0
Power Dissipation (PD)[W] 20.0
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・4V驱动型 Nch 功率MOSFET
 
 
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技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors