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4V Drive Nch MOSFET_RSJ650N10

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RSJ650N10TL 供应中 LPTS(D2PAK) 1000 1000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code TO-263(D2PAK)
JEITA Package SC-83
Package Size[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 100
Drain Current ID[A] 65.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.0070
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0070
Total gate charge Qg[nC] 260.0
Power Dissipation (PD)[W] 100.0
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・4V驱动型 Nch 功率MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
技术信息
Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors