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4V Drive Nch MOSFET_RSQ015N06

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

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型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RSQ015N06TR 供应中 TSMT6 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code SOT-457T
JEITA Package SC-95
Package Size[mm] 2.9x2.8(t=1.0max.)
Number of terminal 6
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 60
Drain Current ID[A] 1.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.255
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.24
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.21
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.255
Total gate charge Qg[nC] 2.0
Power Dissipation (PD)[W] 1.25
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・4V驱动型 Nch 中功率MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
技术信息
Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Part Explanation

For Transistors