RU1E002SP
4V Drive Pch MOSFET
RU1E002SP
RU1E002SP
4V Drive Pch MOSFET
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-323FL
JEITA Package
SC-85
Number of terminal
3
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-0.25
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2x2.1 (t=1.05)
