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1.2V Drive Nch MOSFET_RUM002N05

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

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型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
RUM002N05T2L 供应中 VMT3 8000 8000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code SOT-723
JEITA Package SC-105AA
Package Size[mm] 1.2x1.2(t=0.5)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 50
Drain Current ID[A] 0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.) 2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 2.4
Power Dissipation (PD)[W] 0.15
Drive Voltage[V] 1.2
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・1.2V驱动型 Nch 小信号MOSFET
 
 
 
 
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技术信息
Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors