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1.5V Drive Nch+Pch MOSFET_TT8M1

电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
TT8M1TR 供应中 TSST8 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code TSST8
Package Size[mm] 3.0x1.9(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 2.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.1
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.1
Total gate charge Qg[nC] 3.6
Power Dissipation (PD)[W] 1.25
Drive Voltage[V] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・1.5V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
技术信息
Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors