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1.5V Drive Nch+Pch MOSFET_US6M11

电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号
Status
封装
包装数量
最小独立包装数量
包装形态
RoHS
US6M11TR 供应中 TUMT6 3000 3000 Taping Yes
 
特性:
Grade Standard
Package Code SOT-363T
JEITA Package SC-113DA
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.85max.)
Number of terminal 6
Polarity Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 1.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.3
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.3
Total gate charge Qg[nC] 1.8
Power Dissipation (PD)[W] 1.0
Drive Voltage[V] 1.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
特点:
  • ・1.5V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET
 
 
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技术信息
Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors