主页 | SiC功率元器件 | SiC MOSFET Bare Die
 

从原理上而言,不存在开关工作时的拖尾电流,因此,可高速工作,降低开关损耗。芯片尺寸小,导通电阻低,因此实现了低容量、低栅极电压。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

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