唤醒其沉睡中的性能的,正是研究者们的热情。

它在天然环境下非常罕见,在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中,发现了少量叫做SiC(碳化硅)的物质。虽然最后通过人工可以制造而成,也知道了它作为半导体具有优异性能,但因加工极其困难,所以SiC功率元器件的量产化一直是全球研究者们谁都无法克服的难题。

罗姆开始着手SiC功率元器件的量产化,是在20世纪90年代。高品质SiC晶圆(制造半导体元件的材料)难求,设备环境不完备的条件下,为了实验,需要每天奔走于全国各研究机构。但是罗姆的研究者们没有放弃。即使全球经济衰退的环境下,仍持续全身心投入到研究开发当中,提升加工精度的同时,创建独有的检测手法,反复改良产品线,终于在2010年全球首家成功实现了SiC-DMOS的量产化。那是祈愿更美好社会的研究者们,所孕育出的小小的奇迹瞬间。
今后罗姆也不会终止挑战。作为SiC功率元器件的领先企业,在提高质量的同时,不断在其他各领域进行研究。

SiCパワーデバイス

什么叫SiC功率元器件

SiC是硅元素(Si)和碳元素(C)的化合物。制成晶体需要极高的热量,又因其材质坚固,被普遍认为是加工困难的材料。SiC功率元器件与以往的半导体相比,能更高效率地转换功率,转换时产生的热量也少,因此能大幅节能,并能实现包括冷却装置在内的设备的小型化。
因为特别适用于大功率转换,所以如今在工业设备、EV、巨型太阳能、家用空调等领域不断被采用,其高性能正逐步被证实。

SiC-DMOS(2010) 全SiC模块(2012) 世界首家量产
引领世界的罗姆SiC

2010年,世界首家量产SiC-DMOS,之后以SiC功率元器件的技术实力引领世界。
2012年,世界首家量产"全SiC"功率模块,内置的肖特基势垒二极管、MOSFET等功率半导体元器件全部由SiC构成。又于2015年,世界首家量产在贴片电路板表面构成沟槽(Trench),在壁面构成MOSFET栅极的沟槽结构MOSFET,罗姆正在以高超的技术实力向全球开展业务。

MOSFET
高品質・高信頼性デバイス

唯有独有的垂直统合型生产体制才能实现的
高品质、高可靠性元器件

以"质量第一"为企业理念的罗姆,在SiC生产中也确立了垂直统合型生产体制。2009年,欧洲最大的SiC单晶晶圆制造商,德国SiCrystal公司成为了罗姆集团旗下的一员。从晶圆到模型、引线框架、封装制造,所有的工序都在集团内部独自开发,通过确立这一生产体制,稳定供应高品质元器件。

  • SiC Special Site

    SiC功率元器件产品介绍

  • 罗姆生产的SiC元器件采用案例介绍

    SiC功率元器件采用案例介绍

  • 电子小百科

    刊载SiC等电子部件的基础知识

  • SMALLRE STRONGER FASTER

    向Formula E提供SiC元器件