
针对Intel公司面向嵌入式应用的"英特尔® 凌动™ 处理器 E600 系列",罗姆与LAPIS Semiconductor公司共同开发完成专业芯片组。在各领域中积累了丰厚业绩。 |
被INNOTECH CORPORATION采用。
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BD9594AMWV / BD9591AMWV
■电源供给
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■频率表
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■用途
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■封装
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■封装
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<Spec Direct Link URL:> https://rohm.com.cn/web/ chana/intel-atom-processor-pmic |
<Spec Direct Link URL:> https://rohm.com.cn/web/ chana/intel-atom-processor-cgic |
<Spec Direct Link URL:> https://rohm.com.cn/web/ chana/intel-atom-processor-ioh |
罗姆同时提供芯片组周边通用IC和分立元器件。
设计芯片组时,周边电路中需配备通用IC和分立元器件。
罗姆生产的各种IC和分立元器件是芯片组周边电路的适合的选择。致力于全方位支持。 |
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![]() 采用可提高存储单元可靠性的双电池结构及可防止数据误写入的双重复位方式。 |
![]() 备有可支持内置MOSFET应对升降压类型的产品、及输入范围较广的大电流FET外置型产品。 |
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![]() 具备-40ºC~+125ºC的高可靠性动作温度。 通过±1% 的高精度检测功能实现抗干扰性能及高动作稳定性。 |
![]() 将低导通电阻MOSFET开关和各种保护电路内置于单芯片中。可以在小型化的同时,实现损耗少、效率高的电力供给和更加安全而稳定的系统设计。
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![]() 该MOSFET通过新型低电压处理,实现超低 电压0.9V驱动。有助于大幅降低耗电量。
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![]() 通过小型化元件提高电流效率,实现低VF化。 有助于实现高效化、小型化组件。
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![]() 通过采用特殊合金,在6432尺寸(PMR100) 产品中实现2W额定电量,以确保大电流检测操作的高效性。另外,通过免调节结构实现低电感,提高电流检测精度。
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