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发布1200V/180A 全SiC功率模块"BSM180D12P3C007"产品信息

搭载SiC Trench MOSFET!1200V/180A 全SiC功率模块

产品概要 |  特点1 |  特点2 |  规格 |  相关信息

产品概要

BSM180D12P3C007封装

SiC元器件作为超越Si性能极限的元器件而备受瞩目,并始终追求更高性能。
ROHM成功批量生产沟槽结构SiC-MOSFET,与已量产的平面式SiC-MOSFET相比,导通电阻约减少50%,输入电容约减少35%。ROHM搭载此元器件生产出1200V/180A全SiC功率模块。

特点1

一般的单沟槽结构和ROHM的双沟槽结构

・采用双沟槽结构,确保长期可靠性!

SiC-MOSFET可有效减少导通电阻,并且采用了备受瞩目的沟槽结构。为确保长期可靠性,需要减轻栅极沟槽部产生的电场集中。ROHM采用独有的双沟槽结构,减轻了电场集中,成功量产了SiC Trench MOSFET。

特点2

・实现低导通电阻!

与以往的平面式SiC-MOSFET相比,相同芯片尺寸条件下,导通电阻约减少50%。 并且提升了开关性能(输入电容约减少35%),有助于设备进一步实现高效率。

SiC-MOSFET 平面结构和沟槽结构的性能比较
开关损失比较图(IGBT Module vs Planar MOSFET vs Trench MOSFET)

规格

・SiC沟槽结构MOS模块规格

型号 绝对最大额定值 RDS(ON)
(mΩ)
封装
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID(A)
(Ta=60℃)
Tj(℃) Tstg
(℃)
Visol(V)
(AC 1min.)
BSM180D12P3C007 1200 -4~22 180 -40 to +175 -40 to +125 2500 10 C type

相关信息

搭载SiC Trench MOSFET的1200V/180A全SiC功率模块以外,ROHM充分利用独有技术,推进满足客户需求的产品开发,同时努力扩充产品系列。

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