SiC 模块并联驱动振荡的抑制方法

SiC MOSFET与传统 Si器件相比,具有高电压、大电流、高速驱动、低损耗、高温稳定等诸多优点,是新一代器件。 近年来,利用这些优异特性,作为向大功率发展的电动汽车 (EV) 的牵引逆变器电路,并联连接多个 SiC MOSFET元件的功率模块被使用的情况越来越多。
另一方面,由于并联使用这样的高速元件,有时会发生元件间的并联驱动振荡 (以下简称振荡)。发生振荡的话元件有破坏的危险,因此抑制对策是市场的重要课题之一。
本应用笔记将介绍有效抑制功率模块振荡的方法。

目录

1. 基础理论
 1-1. 振荡发生的机制
 1-2. 振荡抑制的想法(改善相位差)
 1-3. 影响相位裕量的实际参数
2. 模块的寄生电感Ldd, Lgg, Lss
 2-1. Ldd, Lgg, Lss的定义
 2-2. 模块布局中的Ldd, Lgg, Lss
3. 总结
4. 参考文献

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SiC MOSFET Application Note