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  • 何谓随机失效？
    • 随机失效就是在用户使用过程中，存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      EEPROM的存储单元，改写次数是有限制的（ROHM的产品最多可改写100万次）。
      在此限制次数内，保证不会出现随机失效，这样的保证是哪个公司都没有的（出厂时确认所有bit都没有问题）。
      为了降低随机失效率，ROHM采用 W-CELL（双单元） 结构，实现了数据的高可靠性。
      • FAQ ID: 7
  • 关于EEPROM，
    请告知如何在接通电源时禁止误写入。
    • 请遵守Datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
      在VCC完全上升之前，请将输入端子保持以下状态。
      • Microwire: 将CS端子下拉成GND （对象产品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列）
      • SPI: 将CSB端子上拉成VCC （对象产品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列）
      • I2C: 将SDA设为“H”，且将SCL设成“H”或“L” （对象产品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列）
      • FAQ ID: 1797
  • 如何定义改写次数？
    • 每bit保证可改写100万次。
      没有整片IC的可改写次数。
      注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
      注2)可改写次数与数据保持年数无关。
      • FAQ ID: 17
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