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FAQ Category
Notation of Datasheet's condition
Product type / feature / difference
Unused circuit / terminal, NC terminal processing
Pull up, Pull down
Operating power supply voltage (range / variation)
Power supply (VDD / VCC / VIN) rise time, operation time
Number of rewrites / data retention characteristics
Write (Start / Execute / Time / BUSY state)
Write (page / all addresses)
Write (enable / disable / protect)
Memory area: Capacity and bit
Command and opcode
Power-on reset (POR)
clock
Slave address
Multiple connection or cascade connection
Initial value
Parasitic capacitance of the terminal
Software reset
Reduced voltage detection (UVLO / LVCC)
Operating frequency
Reset All
FAQ's
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关于EEPROM,
请告知在Datasheet中的标准值中,仅有Min/Max而没有Typ记载的项目实际测量值。
确认各特性的实际测量值时,请参考Datasheet中记载的特性图。
FAQ ID: 1820
何谓随机失效?
随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
EEPROM的存储单元,改写次数是有限制的(ROHM的产品最多可改写100万次)。
在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
为了降低随机失效率,ROHM采用 W-CELL(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
FAQ ID: 7
关于EEPROM,
请告知如何在接通电源时禁止误写入。
请遵守Datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
在VCC完全上升之前,请将输入端子保持以下状态。
Microwire: 将CS端子下拉成GND (对象产品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列)
SPI: 将CSB端子上拉成VCC (对象产品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列)
I2C: 将SDA设为“H”,且将SCL设成“H”或“L” (对象产品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列)
FAQ ID: 1797
有没有设想过正在对EEPROM进行写入(Write)或读出(Read)操作时, 电源被切断时会出现什么情况?
防止低电压误写入电路(LV
CC
电路)就会工作,取消写指令,避免错误写入。
电源上升时注意事项 使电源上升到“ Power On Reset(P.O.R电路)”工作。
目标产品: BR24Lxx Series, BR25Lxx0 Series, BR93Lxx Series
FAQ ID: 13
如何定义改写次数?
每bit保证可改写100万次。
没有整片IC的可改写次数。
注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
注2)可改写次数与数据保持年数无关。
FAQ ID: 17
关于EEPROM,
数据改写次数是否也包含数据删除次数?
数据删除也在改写次数之内。
FAQ ID: 1822
关于EEPROM,
若有类似“Ta=125℃,50年”与数据保存年数相关的描述,是否意味着“在125℃的温度环境下连续工作50年也没有问题”?
如果只限于存储单元的数据保存,则这可以表示连续50年在125℃的温度环境下运行的可靠性,但这并不等同于LSI本身的产品寿命。
FAQ ID: 2
关于EEPROM,
数据改写次数及数据保存年数是否会因写入数据的内容而发生变化?
写入数据的内容和改写次数及保存年数无关。
FAQ ID: 1823
关于EEPROM,
数据改写次数及数据保存年数是否会因环境温度或其他因素而发生变化?
环境温度越高,数据改写次数就越少,保存年数越短。除温度之外,没有其他特别因素。产品阵容中也有满足温度保证的产品,请考虑引进。
FAQ ID: 1824
写入次数超过100万次时会出现什么现象? 虽然可以认为那时数据走样了,但会变得无法写入吗?
EEPROM写入100万次以后,存储单元内的浮置栅就变得难于保存电荷了,迟早会变得无法写入。
无法注入电荷的单元变成L 。
FAQ ID: 19
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