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  • 何谓随机失效?
    • 随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      EEPROM的存储单元,改写次数是有限制的(ROHM的产品最多可改写100万次)。
      在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
      为了降低随机失效率,ROHM采用 W-CELL(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
  • How do you disable writing during power ON?
    • In order to prevent erroneous writing during power ON, maintain the state of the input pin until VCC rises by pulling the microwire CS pin to ground, pulling up the SPI CSB pin to VCC, the I²C SDA pin to 'H', and SCL to 'H' or 'L', and adhere to the power supply rise time and voltage stipulated in the datasheet.
  • 如何定义改写次数?
    • 每bit保证可改写100万次。
      没有整片IC的可改写次数。
      注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
      注2)可改写次数与数据保持年数无关。
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