FAQ's
Show All Answers
Hide All Answers
showing 1 to 10 of 30
  • SiC功率元器件的特征有哪些?
    • SiC与Si相比,绝缘击穿电场强度高约10倍,可达几千V的高耐压,另外单位面积的导通电阻非常低,可降低功率损耗。
      Si在高耐压化时导通电阻变大,为了改善这一现象,主要使用IGBT,但这有开关损耗大的问题。
      SiC具有优异的高速开关性能。
  • SiC-MOSFET并联时,应注意哪些?
    • ・电力配线等若不均等,则电流、芯片温度变得不稳定。
      ・开关时序若不符合规范,则引起过流、芯片损坏。
      ・Vgs(on)若不够高,Ron温度特性变为负,在特定芯片中电流集中,有发生热失控遭损坏的危险。
  • SiC-MOSFET串联时,应注意哪些?
    • ・上侧元器件接地绝缘只能保证绝缘耐压。
      ・需要串联数栅极电压用浮动电源。
      ・串联时,导通电阻的温度系数变为正,为防止热失控,请考虑产品偏差和充分的电流降额。
      ・串联后作为高耐压单开关使用时,推荐并列插入大电阻进行适当分压。
      ・若不符合开关时序,则将破坏耐压。
  • SiC产品驱动时栅极信号上为什么有过冲或下冲?
    • 受到电路板的寄生电容或寄生电感的影响,需要考虑LC谐振。请确认以下项目。
      ①连接栅极驱动电路的外置栅极电阻
      ②栅极驱动电路的输出电容
      ③栅极驱动电路的布线寄生电感
      ④SiC-MOSFET栅极电容
      ⑤SiC-MOSFET内部栅极电阻 等
      若电阻小,则过冲、下冲的峰值变大,且阻尼振荡衰减需要时间。
      另外,电容大,则峰值变小,开关速度变慢。
      电感大,则峰值变大。
  • 使用SiC产品时,防止栅极信号过冲和下冲的方法有哪些?
    • 受到电路板寄生电容和寄生电感等的影响,需要考虑LC谐振,请确认以下项目。
      ①提高栅极驱动电路的外置栅极电阻。
      ②减小栅极驱动电路的输出电容。
      ③减小栅极驱动电路的布线寄生电感。
      电阻小,则过冲和下冲的峰值变大,并且阻尼振荡衰减需要时间。电容大,则开关速度变慢。请尽量减小电感。
  • SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压需要负 偏压吗?
    • FET OFF状态下漏极电位上升时,基于栅-漏间电容的AC耦合现象,栅极电位可能上升。代表性的应用有串联的电桥驱动。
      为防止基于误导通的短路破坏,推荐使用负偏压。
      增加栅极-漏极间的电容也能抑制栅极电位上升。
      另外,通过栅极-漏极间连接米勒钳位MOSFET实现彻底短路,可防止栅极电位上升。请注意因噪音引起米勒钳位MOSFET误工作。
showing 1 to 10 of 30
of 3