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  • 使用时只是瞬间超过绝对最大额定值可以吗？
    • 使用时即使是瞬间超过绝对最大额定值也不行，那样有可能出现击穿而损坏晶体管，或者造成hFE下降等性能退化。单发脉冲情况下可使用的范围要确认安全工作区（SOA）。连续脉冲情况下，需要进行功率计算和元件温度计算。具体的判断步骤请参考｢判断能否使用的方法｣、｢元件温度计算方法｣。
      (另外，请同时参考与“降低额定值”相关的内容。）
      • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
      FAQ ID: 230
  • 集电极-发射极间可以加上与耐压反向的电压吗？
    • 对于NPN晶体管，发射极接地，给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的VCEO。
      （对于PNP晶体管，集电极接地，给发射极加上正电压时的耐压是VCEO。）
      与此相反，（NPN晶体管集电极接地，给发射极加上正电压时）的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右，所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下（如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压，就有可能发生hFE下降等性能退化的情况）。集电极-发射极间的反向电压如果在5V以下，就只有漏电流大小的电流通过。





      数字晶体管也如上所述，可对集电极-发射极间（OUT-GND间）的反方向施加最大5V的电压，GND-IN中有电阻的情况，电流会通过电阻流过。
      • Products: General Purpose Bipolar Transistors , Complex Transistors , Darlington Transistors
      FAQ ID: 232
  • 环境温度变化时必须注意哪些问题？
    • 容许损耗（Pc)需要降低（降低额定值），以便与环境温度（Ta）相适应。请根据下面的特性曲线使晶体管的消耗功率降低到与环境温度相适应的程度。

      也有必要降低安全工作区（SOA)的额定值，具体情况请参考「为了放心使用ROHM的晶体管-TR能否使用的判断方法」。
      而且，电特性（ 以双极晶体管/数字晶体管的输入电压(VBE， VI(on)， VI(off) )和 hFE， GI为例）受温度影响会有变化。所以，设计时要参考电特性曲线，以保证温度变化时也能正常工作。MOSFET也要这样考虑。
      • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
      FAQ ID: 239
  • 为什么无卤素化？
    • 以往使用的是RoHS指令的含溴素阻燃剂的模型树脂，为了进一步减少对环境的影响，开始采用无卤素树脂。
      ROHM的无卤素的定义(均质材料中)：
      (1)氯900ppm以下
      (2)溴900ppm以下
      (3)氯及溴的总含量1500ppm以下
      (4)三氧化二锑1000ppm以下。
      这符合IEC61249标准，并满足对环境管理严格的欧洲主要厂商们的要求。
      • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
      FAQ ID: 418
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