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  • 何谓随机失效?
    • 随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      EEPROM的存储单元,改写次数是有限制的(ROHM的产品最多可改写100万次)。
      在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
      为了降低随机失效率,ROHM采用 W-CELL(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
  • 关于SPI的EEPROM,
    请告知BR25H-2C相对于BR35H-WC系列的不同点、改善点和替换方法。
    • 从BR35H-WC系列到BR25H-2C系列追加的功能有以下3点。
      追加功能端子
      将NC端子变更成保持(HOLDB)端子、写保护(WPB)端子
      在状态寄存器中追加WPEN、BP1、BP0(3bit)
      WPEN (写保护使能): WPB端子的有效/无效设定(仅8Kbit以上的产品)
      BP1、BP0 (块保护):写入禁止范围设定
      追加写入状态寄存器指令
      追加到状态寄存器的3bit使用EEPROM单元,可以通过指令写入。如果未使用HOLDB、WPB端子,请对VCC进行上拉处理(无需电阻)。在特性方面,改善了数据保存特性、改写次数、写入时间,并具有高端兼容性,可直接替换。请参考比较资料。

      相关链接:技术资料
  • 关于EEPROM,
    请告知如何在接通电源时禁止误写入。
    • 请遵守Datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
      在VCC完全上升之前,请将输入端子保持以下状态。
      • Microwire: 将CS端子下拉成GND (对象产品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列)
      • SPI: 将CSB端子上拉成VCC (对象产品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列)
      • I2C: 将SDA设为“H”,且将SCL设成“H”或“L” (对象产品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列)
  • 如何定义改写次数?
    • 每bit保证可改写100万次。
      没有整片IC的可改写次数。
      注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
      注2)可改写次数与数据保持年数无关。
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