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  • 关于Microwire的EEPROM,
    请告知下降CS后执行写入的SK和CS之间的时间规定。
    • 作为执行写入的CS下降沿时间,规定有效区间在“导入DI最终数据“D0”的SK上升沿/下降沿”和“接下去的下一个SK上升沿”之间。
      在BR93H-2C/BR93L系列中,
      CS在“导入“D0”的SK上升沿tSKH之后”~ “下一个SK上升沿的tCSS之前”之间下降,开始写入。
      在BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93A-WM系列中,
      CS在“导入“D0”的SK下降沿”tCSH以后”~ “下一个SK上升沿的tCSS以前”之间下降,开始写入。
      (tSKH: SK"H"时间、tCSS:CS设置时间、tCSH:CS保持时间)
      CS timing
  • 何谓 EEPROM?
    • Electrically Erasable Programable ROM(电可擦可编程非易失存储器)。
      安装在电路板上输入电信号,可以改写每个地址的数据。
      ROHM的EEPROM可改写的次数达到业界最高水平的100万次,数据可以保存40年。系列中的所有型号产品,其存储器单元都采用ROHM独创的 W-CELL(双单元) 技术,其无可匹敌的高可靠性令人自豪(数据“ 随机失效”为零)。
    • Products: Serial EEPROM
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