FAQ's
  • 集电极-发射极间可以加上与耐压反向的电压吗?
    • 对于NPN晶体管,发射极接地,给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的VCEO。
      (对于PNP晶体管,集电极接地,给发射极加上正电压时的耐压是VCEO。)
      与此相反,(NPN晶体管集电极接地,给发射极加上正电压时)的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7V左右,所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5V以下(如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压,就有可能发生hFE下降等性能退化的情况)。集电极-发射极间的反向电压如果在5V以下,就只有漏电流大小的电流通过。





      数字晶体管也如上所述,可对集电极-发射极间(OUT-GND间)的反方向施加最大5V的电压,GND-IN中有电阻的情况,电流会通过电阻流过。
    • Products: General Purpose Bipolar Transistors , Complex Transistors , Darlington Transistors