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  • 进入数字晶体管内置晶体管的基极电流怎样计算？
    • 以DTC114EKA为例做如下说明。

      数字晶体管工作时，为使内置晶体管的发射极-基极间（EB间）的正方向有基极电流通过，EB 间需要加正向电压（25℃下约为0.7V）。由于数字晶体管内置晶体管的EB 间与电阻R2并联，所以R2也同样外加了0.7V电压。从而可知，R2上有IR2= 0.7V/10KΩ=70μA的电流通过。


      当输入电压Vin为5V时，IN 引脚的电位就是 5V，因为内置晶体管的EB 间电位差是0.7V，所以电阻R1两端的电压是 5V-0.7V = 4.3V 。
      从而可知，R1上有IR1= 4.3V/10KΩ = 430uA的电流通过。


      从而可知，内置晶体管的基极有430μA-70μA= 360μA的电流通过。


      这样计算就可以计算出流过内置晶体管的基极电流。要使数字晶体管充分导通（ = 降低输出电压Vo（on）) 就要调整输出电流 Io 和输入电压Vin，以使输出电流 Io 达到进入内置晶体管的基极电流的10～20倍以下。如果输入电压Vin 不够高，输出电流不够大，就要使用输入电阻R1小那种型号的数字晶体管。


      温度为25℃时，发射极－基极间正向电压约为0.7V。温度变化时，温度每上升1℃该正向电压便减小约2.2mV。例如，50℃时约为0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。反之，温度降低到-40℃时约为0.7+ (25℃- (-40℃))×2.2mV= 0.843V。
      请注意，就是这样，正向电压VF也受温度影响而变化。而且，25℃时的正向电压无论如何也就大致为0.7V，有±0.1上下的偏差。
      对于数字晶体管，内置电阻R1、R2有±30％上下的偏差，所以要考虑并计算电阻值为最不利的情况。
      由于正向电压和电阻值都有偏差，所以可以认为上述计算方法得到的结果无论如何也就是大致的基准值。
      • Products: Digital Transistors